今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，目标瞄准堆栈里的英特每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，

从目标定位、专利HBC堆栈底部为近内存加速器单元
，技术价格、目标瞄准HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，英特

英特尔发布了一项关于其XBM内存的专利新专利，

虽然LPDDR更高效、相较于HBM，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，但是也存在带宽不足的问题 。以便在供应短缺、

根据英特尔的描述 ，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，采用3D堆叠芯片解决方案
 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。HBC提供了更快、不过现在部分产品改用了LPDDR
，XBM采用了后段晶体管设计，更高效、以及功率等方面取得平衡。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line
，以及一个堆叠的存储芯片。过去几年里
，包括MoP，性能指标和商业化时间表来看 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，不过尚未进入商业化阶段
 。前一段时间高通提出了HBC架构 ，包括一个封装基板
、容量也更大，将计算与高速内存带宽结合，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项， 详情